SK하이닉스 이천공장 현장방문, 반도체 제조허브 육성전략 밝혀

백운규 산업통상자원부 장관. 사진=연합뉴스
[데일리한국 김언한 기자] 산업통상자원부가 우리나라 차세대반도체 기술개발에 투자해 글로벌 반도체 제조 허브로 만들겠다고 밝혔다.

백운규 산업통상자원부 장관은 30일 SK하이닉스 이천공장과 삼성전자 평택공장을 찾아 민간기업 투자현황을 점검했다.

이번 방문은 우리나라 반도체 업계를 격려하고 중국과 같은 추격 등에 대응방안을 논의하기 위한 차원이다.

백 장관은 "앞으로도 우리나라가 세계 1위 반도체 강국의 위상을 지켜낼 수 있도록 3가지 전략을 중심으로 반도체산업의 발전을 지원하겠다"고 밝혔다.

이를 위해 산업부는 메모리반도체 분야 세계 1위 수성을 위해 미세화 한계에 도달한 D램, 낸드 등 기존 메모리반도체를 대체하는 차세대 소자와 소재를 개발한다는 방침이다.

또 시스템반도체를 육성하고 팹리스 시스템온칩(SoC) 설계와 파운드리 기업의 제조공정 연계를 강화할 계획이다.

백 장관은 "팹리스와 파운드리 산업이 함께 발전하도록 하겠다"고 말했다.

산업부는 이를 위해 과학기술정보통신부와 함께 앞으로 10년간 1조5000억원을 투자하는 '차세대 지능형반도체 기술개발사업'을 추진, 오는 8월8일 예비타당성 조사를 신청할 예정이다. 또 오는 31일 창업부터 성장까지 전 주기를 지원하는 '시스템반도체 설계 지원센터'를 개소한다.

백 장관은 "글로벌 반도체 소재·장비 기업의 생산라인 국내 유치 확대 등을 통해 글로벌 반도체 제조 허브 국가화를 추진하겠다"고 말했다.

아울러 산업부는 미국의 에어프로덕트, 네덜란드 ASML, 미국 AMAT, 일본 TEL 등 세계 유명 반도체 소재·장비 기업을 국내에 유치하기 위해 투자유치 지원제도를 개편하고, 입지·환경 규제개혁을 추진할 계획이다.

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