기존 133조원 투자계획에서 38조원 추가 확대

평택캠퍼스 3라인 건설 착수, 내년 하반기 완공

사진=삼성전자 제공
[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자가 시스템반도체 관련 투자를 크게 늘린다. '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가한다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 2030년까지 시스템반도체 분야에 대한 추가 투자계획을 발표했다.

2019년 4월 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가, 2030년까지 총 171조원을 투자한다. 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 속도를 낸다.

삼성전자의 투자 확대는 우리나라 반도체 산업의 위상을 더 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.

내년 하반기 평택 3라인도 완공한다. 이 곳의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로, 극자외선(EUV) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다.

모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다. 평택캠퍼스는 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용한다. 또 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM', D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 속도를 낸다.

사진=삼성전자 제공
이날 행사에서 삼성전자 김기남 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 말했다.

국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원 및 투자도 더욱 확대한다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 더욱 확대한다.

아울러 공급망 핵심인 소재와 부품, 장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력을 더욱 강화해 나갈 예정이다.

김기남 부회장은 "지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때"라며 "우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것"이라고 밝혔다.

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