이달 착공 2021년 가동 예정, 시스템반도체 1위 야심

삼성전자 5나노 이하대 공정도 선점 '반도체 초격차'

삼성전자 경기도 평택캠퍼스. 사진=삼성전자 제공
[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자가 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 이달부터 라인 공사에 들어갔다. 2021년 하반기 본격 가동할 계획이다. EUV(극자외선) 노광공정을 통한 선단공정 경쟁력이 강화될 것으로 기대된다.

21일 삼성전자에 따르면 오는 2021년 새로운 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품 생산 규모가 크게 증가할 전망이다. 전세계 파운드리 1위인 대만 TSMC를 추격하는데 속도가 붙을 것으로 예상된다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환이다. 평택사업장은 메모리반도체와 시스템반도체를 아우르는 생산거점으로 탈바꿈한다.

삼성전자는 올해 2월 EUV 전용 화성 'V1 라인' 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축한다. 모바일, HPC(고성능컴퓨팅), AI(인공지능) 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대한다는 방침이다. EUV는 파장이 짧은 EUV 광원을 사용해 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 기술이다.

삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 후 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 확대해 왔다. 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모도 크게 늘어난다.

삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대한다. 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.

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