'초고속·초절전' 솔루션 확보, 차세대 DDR5/LPDDR5 시장 확대 주도
  • 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램. 사진=삼성전자 제공
[데일리한국 김언한 기자] 삼성전자는 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4 D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.

2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만에 또 다시 미세 공정의 한계를 극복했다.

이 제품은 초고가의 EUV(극자외선) 장비를 사용하지 않고 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.

또 삼성전자는 3세대 1z D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다.

삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 1z D램을 본격 양산한다. 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"고 말했다.

이어 "프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것"이라고 강조했다.

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입력시간 : 2019/03/21 11:00:13 수정시간 : 2019/03/21 11:00:13
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