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[데일리한국 고은결 기자] 삼성전자가 올해도 반도체 업계에서 가장 많은 시설투자를 집행할 것으로 전망된다.

7일 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 삼성전자 반도체 부문의 올해 자본적 지출(CAPEX·시설투자) 전망치는 전년 대비 11% 늘어난 125억달러가 될 것으로 예상된다.

작년에는 1년 전보다 13% 감소한 113억달러를 투자했다. 앞서 삼성전자는 지난 1월 반도체에 13조2000억원의 시설투자비를 집행했으며 메모리와 시스템LSI의 비중은 약 8대2라고 발표했다.

삼성전자의 뒤를 이어 인텔은 올해 세계에서 두 번째로 많은 규모인 120억달러(약 14조원)의 시설투자를 집행한다. 인텔은 작년에도 전년 대비 투자액을 31% 늘렸으며 올해도 25% 늘릴 것으로 전망된다.

대만의 TSMC는 전년 대비 2% 감소한 100억달러(약 11조6000억원)를 투자할 것으로 예상된다.

SK하이닉스는 올해 세계 4위의 시설투자 규모인 60억달러(약 7조원)를 집행할 계획이다. 작년에는 전년과 비교해 14% 줄어든 51억8800만달러(약 6조5000억원)를 집행했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 지난해 D램 시장의 약세로 시설투자 규모를 줄였지만 같은 해 하반기부터 D램 시장이 성장세로 돌아서고 3D 낸드에 대한 투자가 늘자 올해 투자 규모를 늘린 것으로 풀이된다.

삼성전자는 경기도 평택에 세계 최대 규모인 반도체단지를 설립 중이며 올해 중반부터 V-낸드 양산에 돌입한다. SK하이닉스의 올해 시설투자 증가분은 경기도 이천 공장 M14의 클린룸 건설과 관련 인프라에 활용될 전망이다.

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